|
Ürün ayrıntıları:
Ödeme & teslimat koşulları:
|
| Ürün adı: | S1A-S1M | şimdiki: | 1 A |
|---|---|---|---|
| Voltaj: | 50-1000V | paket: | SMA / DO-214AC |
| paketleme: | Makaradaki bant | SPQ: | 5000pcs |
| Vurgulamak: | international rectifier diode,fast recovery rectifier diode |
||
özellik
Plastik ambalaj, Underwriters Laboratuarında Yanıcılık Sınıflaması 94V-0 taşır
Baskılı devre kartı için fikir
Yüzeye monte uygulamalar için
Cam pasifleştirilmiş Bağlantı yongası
Dahili gerilme önleyici, otomatik yerleştirme için ideal
Düşük ters sızıntı
Yüksek ileri akım akımı kapasitesi
Yüksek sıcaklıkta lehimleme garantisi
TİPİK UYGULAMALAR
Genel olarak kullanım için güç kaynakları, inverterler, dönüştürücüler ve serbest diyotların düzeltilmesi
tüketici, otomotiv ve telekomünikasyon.
MAKSİMUM DERECELER VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLER
Derece 25 C ortam sıcaklığı benzersiz diğer belirtilmiş.
Tek fazlı yarım dalga, 60Hz, rezistif veya endüktif yük.
Kapasitif yük için akımı% 20 düşürün.
| NUMARA GİRİNİZ | SYMBOL | S1A | S1B | S1D | S1G | S1J | S1K | S1M | birim |
| Maksimum Tekrarlayan Tepe Ters Gerilimi | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| Maksimum RMS Gerilimi | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Maksimum DC Engelleme Gerilimi | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
|
Maksimum Ortalama İleri Düzeltilmiş Akım .375 "(9,5 mm) Ta = 75 C'de Kurşun Uzunluğu |
EĞER (AV) | 1.0 | bir | ||||||
|
Tepe İleri Dalgalanma Akımı, 8.3 ms tek yarım sinüs dalgası nominal yüke bindirilmiş (JEDEC yöntemi) |
VF | 30 | V | ||||||
|
Maksimum DC Ters Akım Ta = 25 ° C Anma DC Engelleme Gerilimi Ta = 125 ° C |
İR |
5.0 200 |
mA mA |
||||||
| Tipik Bağlantı Kapasitesi (Not 1) | CJ | 15 | pF | ||||||
| Tipik Termal Direnç (Not 2) | Re (ja) ve | 30 | ° C / W | ||||||
| Saklama ve Çalışma Buat Sıcaklığı | Tstg, TJ | -65 ila +150 |
° C
|
||||||
Çizim:
Neden bizi tercih?
1. ISO9001: 2008 sertifikalı fabrika
2. diyot üretiminde 20 yıl zengin deneyim
3. Strict kalite kontrol, müşterinin maksimum memnuniyetini elde
4. Yıllık üretim kapasitesi 2 milyarın üzerindedir
İlgili kişi: Bixia Wu
